氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaN FET是一種用于輸入電壓控制輸出電流的固體半導(dǎo)體器件，是以氮化鎵、鋁氮化鎵為基礎(chǔ)材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。因具有好的散熱性能、高的擊穿電場(chǎng)以及高的飽和速度，相比與同等的硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管所具有的優(yōu)勢(shì)十分明星，柵極電容較低、柵極驅(qū)動(dòng)電壓較低和額定電壓能力較高等，因此，在大功率高頻能量轉(zhuǎn)換和高頻微波通訊等方面有著廣闊的應(yīng)用前景。

現(xiàn)階段，以氮化鎵為基礎(chǔ)，已經(jīng)制備出了金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管、異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管、調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管等新型器件。雖然這些器件都是在理想的狀態(tài)下制作的而成的，但是氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管內(nèi)部不可避免會(huì)存在一些影響產(chǎn)品性能的缺陷，如原子在晶格結(jié)構(gòu)中發(fā)生位移。在剪切力作用下，如果多個(gè)位錯(cuò)移動(dòng)，那么沿著晶格平面的鍵會(huì)拉伸并最終破裂。因此，為了防止不良品進(jìn)入下一道生產(chǎn)工序，所以就需要借助檢測(cè)工具x光透視設(shè)備對(duì)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行全面的檢測(cè)，將存在缺陷的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管挑選出來(lái)，確保GaN FET的可靠性。

正業(yè)科技x光透視設(shè)備發(fā)出波長(zhǎng)短且有穿透力的x射線，射線透過(guò)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaN FET的過(guò)程中，會(huì)與物質(zhì)中的原子發(fā)生相互作用，引起輻射強(qiáng)度的衰減（衰減的程度與受GaN FET的厚度、密度和化學(xué)成分息息相關(guān)）。如果GaN FET內(nèi)部存在某種缺陷，那么缺陷處以及周圍區(qū)域就可以看到射線強(qiáng)度衰減的差異。設(shè)備通過(guò)相關(guān)的手段，將缺陷位置標(biāo)記出來(lái)，將缺陷產(chǎn)品挑選出來(lái)。

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