微波功率晶體管主要有三大類，分別是雙極型功率管、VMOS 功率管和GaAs場(chǎng)效應(yīng)功率管，是各種整機(jī)系統(tǒng)的關(guān)鍵器件之一。雙極型微波功率晶體管一般是在大電流密度和較高工作電壓的條件下工作，所以就需要用x ray設(shè)備定期對(duì)雙極型微波功率晶體管進(jìn)行檢查。如果微波功率晶體管內(nèi)部缺陷沒有及時(shí)檢測(cè)出來，出現(xiàn)熱失效等現(xiàn)象，那么就極有可能被突然燒毀。

對(duì)于雙極型功率晶體管來說，超過最大額定值時(shí)的損壞和超越安全工作區(qū)時(shí)的損壞是最常出現(xiàn)的失效模式，超過最大額定值時(shí)的損壞一般會(huì)導(dǎo)致鍵合內(nèi)引線的熔斷，超越安全工作區(qū)時(shí)的損壞則會(huì)導(dǎo)致芯片PN結(jié)的熱電擊穿。雙極型微波功率晶體管的穩(wěn)定性和可靠性涉及到熱穩(wěn)定性、電穩(wěn)定性、熱機(jī)械應(yīng)力和金屬化電極等方面，工藝和結(jié)構(gòu)的合理設(shè)計(jì)的、材料的缺陷、應(yīng)用條件的不合理等都可能導(dǎo)致雙極型微波功率晶體管失效。所以說，采用x ray設(shè)備這種高效率、低誤檢、低成本的無損探傷檢測(cè)方法是最好的選擇，射線透過內(nèi)部之后就可以將被檢測(cè)物內(nèi)部所存在的缺陷都檢測(cè)出來，并且還能夠自主將NG品挑選出來。

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